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性能超同尺寸硅基器件,我国学者制备高密度高纯半导体阵列碳纳
[版面:军事天地][首篇作者:foofy] , 2020年05月22日06:01:50 ,343次阅读,0次回复
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发信人: foofy (不才), 信区: Military
标  题: 性能超同尺寸硅基器件,我国学者制备高密度高纯半导体阵列碳纳米管材料
发信站: BBS 未名空间站 (Fri May 22 06:01:50 2020, 美东)

https://www.laoyaoba.com/html/news/newsdetail?source=pc&news_id=749912

性能超同尺寸硅基器件,我国学者制备高密度高纯半导体阵列碳纳米管材料
图图·16:48·本土IC 来源: 爱集微
集微网消息,北大信息科学技术学院消息,近日,北京大学信息科学技术学院电子学系
/北京大学碳基电子学研究中心、纳米器件物理与化学教育部重点实验室张志勇教授-彭
练矛教授课题组发展全新的提纯和自组装方法,制备高密度高纯半导体阵列碳纳米管材
料,并在此基础上首次实现了性能超越同等栅长硅基CMOS技术的晶体管和电路,展现出
碳管电子学的优势。

图片来源:北大信息科学技术学院消息
该课题组采用多次聚合物分散和提纯技术得到超高纯度碳管溶液,并结合维度限制自排
列法,在4英寸基底上制备出密度为120 /μm、半导体纯度高达99.99995%、直径分布在
1.45±0.23 nm的碳管阵列,从而达到超大规模碳管集成电路的需求。
据悉,该项工作突破了长期以来阻碍碳管电子学发展的瓶颈,首次在实验上显示出碳管
器件和集成电路较传统技术的性能优势,为推进碳基集成电路的实用化发展奠定了基础。
5月22日,相关研究成果于《科学》发表。同时,上述研究也得到国家重点研发计划“
纳米科技”重点专项、北京市科技计划、国家自然科学基金等资助。(校对/小如)
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※ 来源:·WWW 未名空间站 网址:mitbbs.com 移动:在应用商店搜索未名空间·[FROM: 2001:e68:5418:7]

 
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